随着工业技术的高速发展，需要应用在精密测量领域的压力传感器市场前景也愈加广阔。MEMS压力传感器应运而生，与传统的压力传感器相比，MEMS压力传感器不仅体积小，而且具有较高的测量精度、较低的功耗和极低的成本。绝大多数的MEMS压力传感器的感压元件是硅膜片，根据敏感机理的不同，可将MEMS压力传感器分为3种：压阻式、电容式和谐振式 。其中，硅压阻式MEMS压力传感器采用高精密半导体电阻应变片组成惠斯顿电桥，利用半导体材料的压阻效应和良好的弹性来进行力电变换。

（CSMC）制备的硅压阻式MEMS压力传感器的标准流程如下：首先在抛光的硅衬底上经光刻注入生成四根电阻应变片，电阻应变片被设计在硅膜表面应力大处，组成惠斯顿电桥。然后在圆片背面，从硅片中部刻蚀出一个应力杯。键合圆片背面。根据产品应用，即可以在应力杯中抽真空制成绝压MEMS器件，也可以维持应力杯和大气相通制成表压MEMS器件。产品封装后，当硅膜两边的压力差发生变化时，应力硅膜会发生弹性形变，破坏原先的惠斯顿电桥电路平衡，产生电桥输出与压力成正比的电压信号。

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